どちらも同じ不揮発性メモリ（電源を落としてもデータが保存される記憶装置）ですが、両者の違いは何なのでしょうか。
違いは消去できるデータの大きさ
高速で大容量データの読み出し保存を必要とするフラッシュメモリは、ブロック単位でデータを消去するのに対して、eepromは1バイト～数百バイト単位でデータを消去できます。
複数の大きなデータを読み出し保存できるように設計されたフラッシュメモリは大きな消去ブロックが高密度に配置されているため、高速で大容量のデータを読み出し保存できます。反対にeepromは小さな消去ブロックが低密度に配置されているので、フラッシュメモリに比べてデータの読み出し保存の速度が遅く、物理的に同じ大きさのフラッシュメモリと比べて保存できるデータ容量が小さいです。
そのため、eepromは小さなデータを読み出し保存を必要とする機器に最適な記憶装置として使用されます。メモリモジュールのSPDデータの記憶装置などに使用されていますね。
以前のeepromは１バイト単位でしか操作できず速度も遅かったのですが、最近では操作できるバイト数が増えたり、書き込みの上限も数百万回まで増えたりたりと性能が上がっているようです。
以上、eepromとフラッシュメモリの違いについての簡単な解説でした。
